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Infineon Technologies

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Leistungs-MOSFET, IRFR5305TRPBF, INFINEON HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFET bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Pak ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage ist eine Verlustleistung von bis zu 1,5 Watt möglich. Features Branchenführende Qualität Dynamischer dv/dt Wert 100% lawinengeprüft 175 °C Betriebstemperatur Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)

26/04/21